說起現(xiàn)在全球的存儲市場的發(fā)展，一直以來都在被國外的科技巨頭所把控。
但是隨著科技的進(jìn)步，我國很多科技企業(yè)在此領(lǐng)域也已經(jīng)取得豐碩的戰(zhàn)績，后續(xù)在國際的存儲領(lǐng)域我國將開啟全新的“國產(chǎn)時代”。
說到這里不得不說一下，一個案例：使用我們國家的長江存儲wafer(晶圓)做封裝，最后得到的封裝良率居然達(dá)到了99.98%。
這個對于我們來講“是一個很高的良率數(shù)據(jù)”，也從別的方面說明我國的封裝技術(shù)已經(jīng)非常成熟，再者也說明“我國的長江存儲的wafer穩(wěn)定性已經(jīng)達(dá)到當(dāng)前非常高的要求，因此也就很容易理解，為啥他們可以從64層直接跳到128層”。
我們大家都知道，在閃存領(lǐng)域，提到的層數(shù)越高就說明相應(yīng)的技術(shù)難度也就越大，正常情況下都是采取的迭代開發(fā)。根據(jù)相關(guān)的數(shù)據(jù)顯示，三星、海力士、美光當(dāng)前都已經(jīng)具備了生產(chǎn)128 層產(chǎn)品的能力;但是當(dāng)前全球相關(guān)行業(yè)的市場上依舊以92、96 層作為主流。從現(xiàn)階段看來，當(dāng)前全球的相關(guān)市場112 層、128 層以及144 層的產(chǎn)品占比都只是停留在15%以內(nèi)，根據(jù)相關(guān)人士的推算要想讓100層以上成為主流的話，需要等到2022年才可以完成。就目前來看，我們國家的相關(guān)存儲廠商已經(jīng)從上游開始持續(xù)的發(fā)力，正在追隨潮流的發(fā)展趨勢。
其實在存儲領(lǐng)域，我國的起步發(fā)展還是挺晚的，現(xiàn)在我們要想在相關(guān)領(lǐng)域得到成就的話，就需要找到一個突破口，踏踏實實的向先進(jìn)的方向發(fā)展。由于我們的起步較晚，現(xiàn)階段最重要的就是要牢牢的把握住機會，夯實基礎(chǔ)，專注做精一個點，然后慢慢向別的領(lǐng)域發(fā)展。因為我們具備一個先天的大市場，我們還要積極的避開低端化的惡性競爭，向著高端市場努力進(jìn)擊。
其實存儲器產(chǎn)能的發(fā)展，對于整個產(chǎn)業(yè)鏈的依賴還是比較大的，尤其是對于前道的產(chǎn)能更是依賴。因為存儲器永遠(yuǎn)是一個波動性的發(fā)展流程，如果想要向上爬坡的話就必須需要晶圓和封裝測試等整個產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)支撐;在向下發(fā)展的時候，還需要整個產(chǎn)業(yè)鏈對其的大力支持，以此才可以減少相關(guān)的資本和技術(shù)損失。
近些年受到國際大環(huán)境的影響，我們國內(nèi)的很多廠商開始大力提倡使用國產(chǎn)化的器件。在面對資本投入的熱潮時，半導(dǎo)體行業(yè)的務(wù)工人員不僅無奈，卻也夾雜著期待。出現(xiàn)這些情況的原因就是，會有大量的井噴式半導(dǎo)體同業(yè)公司瞬間“問世”，加上芯片行業(yè)出現(xiàn)很多爛尾工程和最令人后怕的人才流失等現(xiàn)象出現(xiàn)。
標(biāo)簽： 國產(chǎn)崛起
