回顧中國(guó)的近代史并不是那么漂亮，甚至給了所有中國(guó)人一個(gè)慘痛的教訓(xùn)。近些年來(lái)，中國(guó)也一直在完善自己、讓自己變得更加強(qiáng)大，為此中國(guó)在各個(gè)領(lǐng)域也是十分努力想要做到最好，盡管并沒(méi)有樣樣拔尖，但是中國(guó)的綜合國(guó)力的提升也是有目共睹的。畢竟中國(guó)在不少技術(shù)領(lǐng)域都起步較晚，當(dāng)中國(guó)在一些行業(yè)迅速發(fā)展時(shí)，總會(huì)借助其他國(guó)家的一些技術(shù)來(lái)進(jìn)行合作，但總歸別人的技術(shù)，中國(guó)也是想要做到真正的獨(dú)立自強(qiáng)，所以也從未放棄過(guò)研究出獨(dú)屬于自己的一些技術(shù)。
半導(dǎo)體在如今這個(gè)高科技的時(shí)代是十分重要的，而在此之前我國(guó)的半導(dǎo)體大多都是從國(guó)外引進(jìn)，為此我國(guó)也是下了不少功夫。經(jīng)過(guò)了刻苦的鉆研，我國(guó)的最大快閃存儲(chǔ)器制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示預(yù)計(jì)今年就可以試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片了，而具體時(shí)間可能確定在今年的下半年。
近期日媒就報(bào)道了這一消息，而這消息一出在國(guó)際上就激起了不小的浪花。192層的3D NAND閃存芯片是個(gè)什么概念呢?只能舉例表示三星正在研發(fā)的目標(biāo)是172層的3D NAND 閃存芯片，而美光的目標(biāo)則是176層。就以這幾個(gè)數(shù)字來(lái)看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先那些巨頭企業(yè)了。雖說(shuō)其技術(shù)是先進(jìn)了不少，但是卻還是有一些不足之處的，192層3D NAND閃存芯片的良品率與三星等巨頭企業(yè)還是不能比的，其產(chǎn)能也并不高，希望長(zhǎng)江存儲(chǔ)在這些方面還要多多努力。
為了研發(fā)屬于自己的、高于現(xiàn)有技術(shù)的192層3D NAND閃存芯片，中國(guó)也是投進(jìn)去了1550億的資金，可想而知中國(guó)對(duì)此有多么重視。近些年來(lái)，美國(guó)一直在半導(dǎo)體技術(shù)上對(duì)中國(guó)有著壓制，而中美關(guān)系也一直處于緊張狀態(tài)，所以要想我國(guó)長(zhǎng)久且更好地發(fā)展下去就必須將高技術(shù)緊緊握在自己手里才安全。如今長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)突破簡(jiǎn)直是為中國(guó)打破外國(guó)技術(shù)壟斷的一大勝利，這也讓不少?lài)?guó)內(nèi)行業(yè)都松了一口氣，終于不用再看美國(guó)的眼色了。
標(biāo)簽： 1550億
