華泰證券認為，碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料，具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點，SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領(lǐng)域。由于技術(shù)遷移成本高、價格高企、產(chǎn)能緊張等因素，我們認為碳化硅仍處于滲透早期，當前主要應(yīng)用于中高端新能源車、充電樁及基站射頻等領(lǐng)域，我們預(yù)計全球SiC器件市場規(guī)模2025年將達59.79億美元，較2020年翻5倍。建議關(guān)注：1)具備較強產(chǎn)業(yè)鏈及客戶基礎(chǔ)的SiC功率器件廠商；2)“跑馬圈地”下具備稀缺有效產(chǎn)能的材料公司；3)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)設(shè)備公司。
（文章來源：證券時報·e公司）
